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气压烧结法（ GPS)

近几年来，人们对气压烧结进行了大量的研究，耐火砖常期回收，获得了很大的进展。气压烧结氮化硅在1 ～10MPa气压下，2000℃左右温度下进行。高的氮气压控制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结，在添加较少烧结助剂情况下，也足以促进Si3N4晶粒生长，而获得密度gt; 99%的含有原位生长的长柱状晶粒高韧性陶瓷. 因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视. 气压烧结氮化硅陶瓷具有高韧性、高强度和好的耐磨性，可直接制取接近终形状的各种复杂形状制品，从而可大幅度降低生产成本和加工费用. 而且其生产工艺接近于硬质合金生产工艺，适用于大规模生产。

Si3N4 陶瓷材料作为一种优异的高温工程材料，能发挥优势的是其在高温领域中的应用。Si3N4 今后的发展方向是：⑴充分发挥和利用Si3N4 本身所具有的优异特性；⑵在Si3N4 粉末烧结时，开发一些新的助熔剂，研究和控制现有助熔剂的成分；⑶改善制粉、成型和烧结工艺； ⑷研制Si3N4 与SiC等材料的复合化，以便制取更多的复合材料。它耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解，并有惊人的耐化学腐蚀性能，能耐几乎所有的无机酸和30%以下的溶液，也能耐很多有机酸的腐蚀；同时又是一种电绝缘材料。

氮化硅的许多 特性都归结为在此构造。纯Si3N4为3119，有α和β二种分子结构，均为六角晶型，耐火砖，其溶解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。Si3N4线膨胀系数低、导热率高，困穷耐高温***性不错。压合煅烧的氮化硅加温到l000℃后资金投入凉水中也不容易。不在太高的温度下，Si3N4具备较高的强度和耐冲击性，但在1200℃之上会随使用时间的提高而出現损坏，使其强度减少，在1450℃之上更易出現疲惫毁坏，因此Si3N4的应用温度一般不超过1300℃。因为Si3N4的基础理论相对密度低，比钢和工程项目超耐高温碳素钢轻得多，因此，耐火砖常年回收，在这些规定原材料具备高强度、耐热等特性的地区用Si3N4瓷器去替代碳素钢是再适合但是了。它是用硅粉作原材料，耐火砖长期回收，先用一般成形的方式制成需要的样子，在N2以及1200℃的高溫下开展基本氮化，使在其中一部分硅粉与氮反映转化成氮化硅，这时候全部坯体早已具备一定的强度。随后在1350℃～1450℃的箱式电炉中开展二次氮化，反映成氮化硅。用压合煅烧法能制得做到基础理论相对密度99%的氮化硅。