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氮化硅结合碳化硅制品介绍

氮化硅结合碳化硅制品： 氮化硅结合碳化硅材料是一种耐火材料，主要产品有氮化硅结合碳化硅辐射管、氮化硅结合碳化硅砖等。 被广泛应用于钢铁、有色金属、化工建材等多种行业，具有节能、环保、耐高温、耐腐蚀等诸多优点。氮化硅制品在窑炉中用过以后，也会出现氧化现象，有些氮化硅砖氧化以后会和碳化硅砖一样，氮化硅氧化变成碳化硅，呈现黑色的碳化硅颗粒，如果氧化的严重的情况下，氮化硅的体积会出现疏松，碳化硅含量下降，体积密度降低，耐压强度也会大大降低。 氮化硅制品在窑炉中用过以后，也会出现氧化现象，有些氮化硅砖氧化以后会和碳化硅砖一样，氮化硅氧化变成碳化硅，呈现黑色的碳化硅颗粒，如果氧化的严重的情况下，氮化硅的体积会出现疏松，碳化硅含量下降，体积密度降低，耐压强度也会大大降低。 此外，氮化硅还能应用到太阳能电池中。用PECVD法镀氮化硅膜后，不但能作为减反射膜可减小入射光的反射，而且，在氮化硅薄膜的沉积过程中，反应产物氢原子进入氮化硅薄膜以及硅片内，起到了钝化缺陷的作用。这里的氮化硅氮硅原子数目比并不是严格的4:3，而是根据工艺条件的不同而在一定范围内波动，不同的原子比例对应的薄膜的物理性质有所不同。

Si3N4的使用温度一般不超过1300°C

氮化硅的很多性能都归结于此结构。纯Si3N4为3119，有α和β两种晶体结构，均为六角晶形，其分解温度在空气中为1800℃，在110MPa氮中为1850℃。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。Si3N4 热膨胀系数低、导热率高。热压烧结的氮化硅加热到l000℃后投入冷水中也不会。在不太高的温度下，Si3N4 具有较高的强度和抗冲击性，但在1200℃以上会随使用时间的增长而出现破损，使其强度降低，在1450℃以上更易出现疲劳损坏，所以Si3N4 的使用温度一般不超过1300℃。

热压烧结法(HPS)是将Si3N4粉末和少量添加剂(如MgO

热压烧结法（ HPS)

是将Si3N4 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。特点自身属性1、化学组成：主要成分决定该耐火材料的品质和特点2、体积密度：单位体积重量，密度大，说明致密性好，强度就可能高，但导热系数可能就大3、显气孔率：没做具体要求，但作为生产厂家需要严格控制显气孔。由于严格控制晶界相的组成，以及在Si3N4 陶瓷烧结后进行适当的热处理，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的Si3N4系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对Si3N4 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能显著提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的Si3N4 陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4 要优异，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。