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性能氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品

性能

氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。将生坯再一次进行完全氮化烧结，得到尺寸变化很小的产品（即生坯烧结后，收缩率很小，线收缩率。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不***。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。

氮化硅砖采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取

制取方法

氮化硅砖采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。烧制氮化硅砖的生产工艺与镁质砖大体相仿。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。

优点

氮化硅砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。

应用

用于航空、冶金、机械、半导体等工业中制造高温轴承、冶金坩埚、半导体区域熔炼舟器等。

氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高

具有良好的耐碱侵蚀性、抗熔融冰晶石润湿性、耐磨性、高导热性、抗热震性和低的电导率 氮化硅陶瓷材料具有热稳定性高。但是，过高的焚烧温度不仅会对炉衬材料的选择和工艺厚度提出更高的要求，还会增加焚烧产物中氧化氮的组分含量上升，造成二次污染。由于氮化硅是键强高的共价化合物，并在空气中能形成氧化物保护膜，所以还具有良好的化学稳定性，1200℃以下不被氧化，1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化，并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀，但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀。 氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬 ( Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为主要矿物组分的耐火材料制品。这类砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。 氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4常出现的型式，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。

氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬(Cr2O3)为主

氮化硅砖是指以氧化镁(MgO)和三氧化二铬 ( Cr2O3)为主要成分，方镁石和尖晶石为主要矿物组分的耐火材料制品。这类砖耐火度高，高温强度大，抗碱性渣侵蚀性强，热稳定性优良，对酸性渣也有一定的适应性。 氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。α和β两相是Si3N4常出现的型式，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可达到35GPa。 氮化硅砖是以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(m·K)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不***。抗折强度可达200~700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ω·m。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。 制造氮化硅砖的主要原料是烧结镁砂和铬铁矿。镁砂原料的纯度要尽可能高，铬铁矿化学成分的要求为：Cr2O330～45%，CaO不大于1.0～1.5%。 烧制氮化硅砖的生产工艺与镁质砖大体相仿。为了消除砖在烧成过程中由于MgO和Cr2O3、Al2O3或直接结合氮化硅砖。